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In diesen Ausschnitt tritt durch den Querschnitt A ein Teilchenstrom oder eine Welle der Starke 10 , Nachdem dieser FluB die N d/ Abb. 2. 4) Wenn der FluB die Strecke der freien Weglange t zurUckgele~t hat, bzw. das Volumen A • t durchsetzt hat, muB die Streuwahrscheinlichkeit gleich 1 sein. 6) Die freie Weglange ist somit zerlegt in eine Dichte und eine Eigenschaft des einzelnen Streuzentrums. h. in a) Halbleitern, nichtentartet b) Metallen, entartet v e /3kT/m' (6TI2)1/3(~/m)(n/t*)1/3 (t*: Besetzungszahl, vergl.

5 Streuung an geladenen Storstellen (Ionenstreuung, Conwell-Weisskopf-Streuung) Werden Atome falscher Wertigkeit in einen Kristall eingebaut, so sind diese oft schon bei niedrigen Temperaturen ionisiert, da das Valenzelektron wegen der Polarisferung der Umgebung nicht mehr so fest gebunden ist wie beim freien Atom. B. im 4-wertigen Ge As V GallI As+ + Elektron (-) ~ Ga + Loch (+) "Donator" "Acceptor" AuBer dem geladenen Gitterplatz entsteht noch ein freies Elektron oder Loch. Das Coulomb-Feld des ionisierten Fremdatoms wird in Metallen durch die vielen freien Elektronen vollig abgeschirmt und bleibt deshalb als Streuzentrum unwirksam.

Atome geringer Ionisierungsenergie sind leicht polarisierbar. Anmerkung: Tatsachlich tragen zur statischen Polarisierbarkeit alle Obergange im Atom bei, nicht nur der ionisierende. ~(O) berechnet sich dann nach ~(O) e2 f. =_ 0 L~ £ m . co 0 1 Wi (f i : Oszillatorstarken). Die atomaren Polarisierbarkeiten sind nur sehr unvollstandig bekannt, da sie sich nur selten direkt messen lassen und auch ihre theoretische Berechnung nur naherungsweise, bei groBen Atomen Uberhaupt noch nicht geiungen ist. 1 sind die zuganglichen Werte fUr die wichtigsten Elemente zusammengestellt.

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Physics Reports vol.136


by John
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